Асинхронная Статическая RAM 8Мбит

Семейства микросхем BH/BS серий асинхронной SRAM памяти объемом 8Mбит и с организацией 1Mx8бит или 512Kx16бит: BH62UV8001, BH616UV8011, BS62LV8001, BS616LV8016, BS616LV8017. Напряжение питания 2.4~5.5V у BS-серии или 1.65~3.6V у BH-серии. Быстродействие 55ns/70ns для микросхем с напряжением питания 2.4~5.5V у BS-серии, или 55ns при питании 1.65~3.6V у BH-серии.

Таблица микросхем SRAM памяти 8Mбит

Наименование	Объем	Организация	Скорость	Питание	Температура	Корпус
BH62UV8001DI	8M	1M X 8	55ns	1.65V ~ 3.6V	-40C to +85C	DICE
BH62UV8001AI	8M	1M X 8	55ns	1.65V ~ 3.6V	-40C to +85C	BGA-48-0608
BH616UV8011DI	8M	512K X 16	55/70ns	1.65V ~ 3.6V	-40C to +85C	DICE
BH616UV8011AI	8M	512K X 16	55/70ns	1.65V ~ 3.6V	-40C to +85C	BGA-48-0608
BH616UV8011TI	8M	512K X 16	55/70ns	1.65V ~ 3.6V	-40C to +85C	TSOP I-48
BS62LV8001DC	8M	1M X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	DICE
BS62LV8001EC	8M	1M X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	TSOP II-44
BS62LV8001FC	8M	1M X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	BGA-48-0912
BS62LV8001EI	8M	1M X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	TSOP II-44
BS62LV8001FI	8M	1M X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	BGA-48-0912
BS616LV8016DC	8M	512K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	DICE
BS616LV8016FC	8M	512K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	BGA-48-0912
BS616LV8016FI	8M	512K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	BGA-48-0912
BS616LV8017DC	8M	512K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	DICE
BS616LV8017EC	8M	512K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	TSOP II-44
BS616LV8017FI	8M	512K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	BGA-48-0912
BS616LV8017EI	8M	512K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	TSOP II-44
BS616LV8017FI	8M	512K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	BGA-48-0912