Асинхронная Статическая RAM 4Мбит

Семейство микросхем BS-серии асинхронной SRAM памяти объемом 4Mбит и с организацией 512Kx8бит или 256Kx16бит: BS62LV4006, BS616LV4017, BS616UV4016. Напряжение питания 2.4~5.5V или 1.8~3.6V. Быстродействие 55ns/70ns для микросхем с напряжением питания 2.4~5.5V, или 100ns при питании 1.8~3.6V.

Таблица микросхем SRAM памяти 4Mбит

Наименование	Объем	Организация	Скорость	Питание	Температура	Корпус
BS62LV4006DC	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	DICE
BS62LV4006EC	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	TSOP II-32
BS62LV4006PC	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	PDIP-32
BS62LV4006SC	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	SOP-32
BS62LV4006STC	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	STSOP-32
BS62LV4006TC	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	TSOP-32
BS62LV4006EI	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	TSOP II-32
BS62LV4006PI	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	PDIP-32
BS62LV4006SI	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	SOP-32
BS62LV4006STI	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	STSOP-32
BS62LV4006TI	4M	512K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	TSOP-32
BS616LV4017DC	4M	256K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	DICE
BS616LV4017AC	4M	256K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	BGA-48-0608
BS616LV4017EC	4M	256K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	TSOP II-44
BS616LV4017AI	4M	256K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	BGA-48-0608
BS616LV4017EI	4M	256K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	TSOP II-44
BS616UV4016DC	4M	256K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	+0C to +70C	DICE
BS616UV4016AC	4M	256K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	+0C to +70C	BGA-48-0608
BS616UV4016EC	4M	256K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	+0C to +70C	TSOP II-44
BS616UV4016AI	4M	256K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	-40C to +85C	BGA-48-0608
BS616UV4016EI	4M	256K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	-40C to +85C	TSOP II-44