Асинхронная Статическая RAM 1Мбит

Семейство микросхем BS-серии асинхронной SRAM памяти объемом 1Мбит и с организацией 128Kx8бит или 64Kx16бит: BS62LV1027, BS616UV1010, BS616LV1010. Напряжение питания 2.4~5.5V или 1.9~3.6V. Быстродействие 55 ns или 70 ns при питании 2.4~5.5V, или 100ns при питании 1.9~3.6V.

Таблица микросхем SRAM памяти 1Mбит

Наименование	Объем	Организация	Скорость	Питание	Температура	Корпус
BS62LV1027DC	1M	128K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	DICE
BS62LV1027PC	1M	128K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	PDIP-32
BS62LV1027SC	1M	128K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	SOP-32
BS62LV1027STC	1M	128K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	STSOP-32
BS62LV1027TC	1M	128K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	TSOP-32
BS62LV1027PI	1M	128K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	PDIP-32
BS62LV1027SI	1M	128K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	SOP-32
BS62LV1027STI	1M	128K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	STSOP-32
BS62LV1027TI	1M	128K X 8	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	TSOP-32
BS616LV1010DC	1M	64K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	DICE
BS616LV1010AC	1M	64K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	BGA-48-0608
BS616LV1010EC	1M	64K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	+0C to +70C	TSOP II-44
BS616LV1010AI	1M	64K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	BGA-48-0608
BS616LV1010EI	1M	64K X 16	55/70ns	2.4V ~ 5.5V	-40C to +85C	TSOP II-44
BS616UV1010DC	1M	64K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	+0C to +70C	DICE
BS616UV1010AC	1M	64K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	+0C to +70C	BGA-48-0608
BS616UV1010EC	1M	64K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	+0C to +70C	TSOP II-44
BS616UV1010AI	1M	64K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	-40C to +85C	BGA-48-0608
BS616UV1010EI	1M	64K X 16	100ns	1.9V ~ 3.6V	-40C to +85C	TSOP II-44